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　　多層陶瓷電容(MLCC)對于電容而言,小型化和高容量是永恒不變的發(fā)展趨勢.其中,要數(shù)多層陶瓷電容(MLCC)的發(fā)展昀快.多層陶瓷電容在便攜產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用極為廣泛,但近年來數(shù)字產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)步對其提出了新要求.

　　例如,手機要求更高的傳輸速率和更高的性能;基帶處理器要求高速度,低電壓;LCD模塊要求低厚度(0.5mm),大容量電容.而汽車環(huán)境的苛刻性對多層陶瓷電容更有特殊的要求:首先是耐高溫,放置于其中的多層陶瓷電容必須能滿足150℃的工作溫度;其次是在電池電路上需要短路失效保護(hù)設(shè)計.也就是說,小型化,高速度和高性能,耐高溫條件,高可靠性已成為陶瓷電容的關(guān)鍵特性.陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化.直流偏置電壓降低了介電常數(shù),因此需要從材料方面,降低介電常數(shù)對電壓的依賴,優(yōu)化直流偏置電壓特性.應(yīng)用中較為常見的是X7R(X5R)類多層陶瓷電容,它的容量主要集中在1000pF以上,該類電容器主要性能指標(biāo)是等效串聯(lián)電阻(ESR),在高波紋電流的電源去耦,濾波及低頻信號耦合電路的低功耗表現(xiàn)比較突出.另一類多層陶瓷電容是C0G類,它的容量多在1000pF以下,該類電容器主要性能指標(biāo)是損耗角正切值tgδ(DF).傳統(tǒng)的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0～8.0)×10-4,而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0～2.5)×10-4,約是前者的31～50%.該類產(chǎn)品在載有T/R模塊電路的GSM,CDMA,無繩電話,藍(lán)牙,GPS系統(tǒng)中低功耗特性較為顯著.較多用于各種高頻電路,如振蕩/同步器,定時器電路等.